IPW60R120C7XKSA1 Preços (USD) [24442pcs Estoque]
- 1 pcs$1.73192
- 240 pcs$1.72330
- Número da peça:
- IPW60R120C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPW60R120C7XKSA1 electronic components. IPW60R120C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R120C7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPW60R120C7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPW60R120C7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Series :
CoolMOS™ C7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 390µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
92W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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