Diodes Incorporated - DMT6018LDR-13

KEY Part #: K6522465

DMT6018LDR-13 Preços (USD) [375240pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09857

Número da peça:
DMT6018LDR-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6018LDR-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT6018LDR-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 869pF @ 30V
Potência - Max : 1.9W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : V-DFN3030-8

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