Nexperia USA Inc. - PMDXB600UNEZ

KEY Part #: K6525021

PMDXB600UNEZ Preços (USD) [451031pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08242
  • 5,000 pcs$0.08201

Número da peça:
PMDXB600UNEZ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMDXB600UNEZ Atributos do produto

Número da peça : PMDXB600UNEZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V
Potência - Max : 265mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-XFDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1010B-6

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