Infineon Technologies - IRF3315LPBF

KEY Part #: K6411999

[13597pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRF3315LPBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 150V 21A TO-262.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF3315LPBF Atributos do produto

    Número da peça : IRF3315LPBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 94W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-262
    Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA