[2905pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPC60N04S406ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 8TDSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPC60N04S406ATMA1 electronic components. IPC60N04S406ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC60N04S406ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC60N04S406ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPC60N04S406ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 8TDSON
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2650pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8-23
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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