DMN2029USD-13 Preços (USD) [530436pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06973
- 2,500 pcs$0.06281
- Número da peça:
- DMN2029USD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2029USD-13 electronic components. DMN2029USD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2029USD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2029USD-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2029USD-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18.6nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1171pF @ 10V
Potência - Max :
1.2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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