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  5. APTM10DSKM19T3G

Microsemi Corporation - APTM10DSKM19T3G

KEY Part #: K6522674

APTM10DSKM19T3G Preços (USD) [2467pcs Estoque]

  • 1 pcs$17.63886
  • 100 pcs$17.55110
Número da peça:
APTM10DSKM19T3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTM10DSKM19T3G electronic components. APTM10DSKM19T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10DSKM19T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10DSKM19T3G Atributos do produto

Número da peça : APTM10DSKM19T3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
Potência - Max : 208W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3

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