Infineon Technologies - IGW30N100TFKSA1

KEY Part #: K6423306

IGW30N100TFKSA1 Preços (USD) [9698pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$1.28983

Número da peça:
IGW30N100TFKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGW30N100TFKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IGW30N100TFKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Series : TrenchStop®
Status da Peça : Obsolete
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1000V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 90A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 30A
Potência - Max : 412W
Energia de comutação : 3.8mJ
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 217nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 33ns/535ns
Condição de teste : 600V, 30A, 16 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3