PSMN4R2-30MLDX Preços (USD) [316110pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11701
- 1,500 pcs$0.09615
- Número da peça:
- PSMN4R2-30MLDX
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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PSMN4R2-30MLDX Atributos do produto
Número da peça :
PSMN4R2-30MLDX
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
70A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1795pF @ 15V
Recurso FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) :
65W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK33
Pacote / caso :
SOT-1210, 8-LFPAK33
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