ON Semiconductor - FQP3N50C-F080

KEY Part #: K6399750

FQP3N50C-F080 Preços (USD) [61934pcs Estoque]

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Número da peça:
FQP3N50C-F080
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP3N50C-F080 Atributos do produto

Número da peça : FQP3N50C-F080
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 365pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 62W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3