Infineon Technologies - IGB30N60H3ATMA1

KEY Part #: K6422460

IGB30N60H3ATMA1 Preços (USD) [63182pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.61885
  • 1,000 pcs$0.60638
  • 2,000 pcs$0.56456

Número da peça:
IGB30N60H3ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 600V 60A 187W TO263-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1 electronic components. IGB30N60H3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGB30N60H3ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGB30N60H3ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IGB30N60H3ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 600V 60A 187W TO263-3
Series : TrenchStop®
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 30A
Potência - Max : 187W
Energia de comutação : 1.17mJ
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 165nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 18ns/207ns
Condição de teste : 400V, 30A, 10.5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-3