IPP057N06N3GXKSA1 Preços (USD) [57728pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.54729
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- 500 pcs$0.31741
- 1,000 pcs$0.25059
- Número da peça:
- IPP057N06N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPP057N06N3GXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP057N06N3GXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 58µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6600pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
115W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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