Diodes Incorporated - DMN61D8L-7

KEY Part #: K6395001

DMN61D8L-7 Preços (USD) [533462pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06934
  • 3,000 pcs$0.06245

Número da peça:
DMN61D8L-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D8L-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN61D8L-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 470mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 390mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3