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  5. EPC2100ENGRT

EPC - EPC2100ENGRT

KEY Part #: K6523298

EPC2100ENGRT Preços (USD) [19847pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.29566
  • 500 pcs$2.28424
Número da peça:
EPC2100ENGRT
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
We specialize in EPC EPC2100ENGRT electronic components. EPC2100ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2100ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2100ENGRT Atributos do produto

Número da peça : EPC2100ENGRT
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
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