NTD5867NLT4G Preços (USD) [414600pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08966
- 2,500 pcs$0.08921
- Número da peça:
- NTD5867NLT4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 20A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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NTD5867NLT4G Atributos do produto
Número da peça :
NTD5867NLT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
675pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
36W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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