Infineon Technologies - FP35R12KT4B15BOSA1

KEY Part #: K6533331

FP35R12KT4B15BOSA1 Preços (USD) [1201pcs Estoque]

  • 1 pcs$36.05354

Número da peça:
FP35R12KT4B15BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE VCES 1200V 35A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP35R12KT4B15BOSA1 Atributos do produto

Número da peça : FP35R12KT4B15BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE VCES 1200V 35A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 35A
Potência - Max : 210W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 35A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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