Vishay Siliconix - SIZ918DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522043

SIZ918DT-T1-GE3 Preços (USD) [158402pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.21927

Número da peça:
SIZ918DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ918DT-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIZ918DT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 15V
Potência - Max : 29W, 100W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PowerPair® (6x5)

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