ON Semiconductor - FGY40T120SMD

KEY Part #: K6422906

FGY40T120SMD Preços (USD) [7871pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.23552
  • 450 pcs$3.66736

Número da peça:
FGY40T120SMD
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 80A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGY40T120SMD Atributos do produto

Número da peça : FGY40T120SMD
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 80A TO-247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 160A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 40A
Potência - Max : 882W
Energia de comutação : 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 370nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 40ns/475ns
Condição de teste : 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 65ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247

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