Diodes Incorporated - DMN3190LDW-7

KEY Part #: K6525350

DMN3190LDW-7 Preços (USD) [974181pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03797
  • 3,000 pcs$0.03480

Número da peça:
DMN3190LDW-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3190LDW-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN3190LDW-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 20V
Potência - Max : 320mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-363

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