Infineon Technologies - IRL40B209

KEY Part #: K6403075

IRL40B209 Preços (USD) [28253pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.40143
  • 10 pcs$1.25115
  • 100 pcs$0.97317
  • 500 pcs$0.78803
  • 1,000 pcs$0.66461

Número da peça:
IRL40B209
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 195A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL40B209 Atributos do produto

Número da peça : IRL40B209
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 195A
Series : HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.25 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 15140pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3