HTMN5130SSD-13 Preços (USD) [92797pcs Estoque]
- 1 pcs$0.42136
- 2,500 pcs$0.37135
- Número da peça:
- HTMN5130SSD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 electronic components. HTMN5130SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTMN5130SSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HTMN5130SSD-13 Atributos do produto
Número da peça :
HTMN5130SSD-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
218.7pF @ 25V
Potência - Max :
1.7W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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