SIHB22N60AE-GE3 Preços (USD) [21158pcs Estoque]
- 1 pcs$1.88620
- 10 pcs$1.68347
- 100 pcs$1.38036
- 500 pcs$1.06044
- 1,000 pcs$0.89434
- Número da peça:
- SIHB22N60AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N60AE-GE3 electronic components. SIHB22N60AE-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N60AE-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHB22N60AE-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHB22N60AE-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
96nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1451pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
179W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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