Infineon Technologies - IRFL014NPBF

KEY Part #: K6411495

IRFL014NPBF Preços (USD) [13771pcs Estoque]

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Número da peça:
IRFL014NPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL014NPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFL014NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Series : HEXFET®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA