DMN3135LVT-7 Preços (USD) [503506pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07346
- 3,000 pcs$0.06575
- Número da peça:
- DMN3135LVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3135LVT-7 electronic components. DMN3135LVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3135LVT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3135LVT-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3135LVT-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.1nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
305pF @ 15V
Potência - Max :
840mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSOT-26
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