Microsemi Corporation - APT25GR120BD15

KEY Part #: K6422688

APT25GR120BD15 Preços (USD) [10614pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$2.09634

Número da peça:
APT25GR120BD15
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 75A 521W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GR120BD15 Atributos do produto

Número da peça : APT25GR120BD15
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 75A 521W TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 75A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 100A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 25A
Potência - Max : 521W
Energia de comutação : 742µJ (on), 427µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 203nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 16ns/122ns
Condição de teste : 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247