Nexperia USA Inc. - PSMN6R0-25YLB,115

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PSMN6R0-25YLB,115 Preços (USD) [332732pcs Estoque]

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Número da peça:
PSMN6R0-25YLB,115
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 25V LFPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN6R0-25YLB,115 Atributos do produto

Número da peça : PSMN6R0-25YLB,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 25V LFPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 73A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1099pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 58W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso : SC-100, SOT-669

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