DMN3012LFG-7 Preços (USD) [117267pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31541
- Número da peça:
- DMN3012LFG-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3012LFG-7 electronic components. DMN3012LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3012LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3012LFG-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3012LFG-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Potência - Max :
2.2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerLDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
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