STP180N10F3 Preços (USD) [31142pcs Estoque]
- 1 pcs$1.33004
- 1,000 pcs$1.32342
- Número da peça:
- STP180N10F3
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 120A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STP180N10F3 electronic components. STP180N10F3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP180N10F3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP180N10F3 Atributos do produto
Número da peça :
STP180N10F3
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Series :
STripFET™ III
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
114.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6665pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
315W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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