SIZ322DT-T1-GE3 Preços (USD) [252514pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14648
- Número da peça:
- SIZ322DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ322DT-T1-GE3 electronic components. SIZ322DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ322DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ322DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIZ322DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20.1nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 12.5V
Potência - Max :
16.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-Power33 (3x3)
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