SI7501DN-T1-GE3 Preços (USD) [3907pcs Estoque]
- 1 pcs$0.53517
- 10 pcs$0.47413
- 100 pcs$0.37487
- 500 pcs$0.27500
- 1,000 pcs$0.21711
- Número da peça:
- SI7501DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7501DN-T1-GE3 electronic components. SI7501DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7501DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7501DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7501DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel, Common Drain
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1.6W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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