Microsemi Corporation - APTM50H14FT3G

KEY Part #: K6522039

APTM50H14FT3G Preços (USD) [1358pcs Estoque]

  • 1 pcs$31.86577
  • 10 pcs$29.93613
  • 25 pcs$28.58431
  • 100 pcs$27.03930

Número da peça:
APTM50H14FT3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM50H14FT3G Atributos do produto

Número da peça : APTM50H14FT3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 168 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3259pF @ 25V
Potência - Max : 208W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3

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