Vishay Siliconix - SIZ346DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523027

SIZ346DT-T1-GE3 Preços (USD) [316935pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.11670

Número da peça:
SIZ346DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ346DT-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SIZ346DT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Series : PowerPAIR®, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Potência - Max : 16W, 16.7W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-Power33 (3x3)

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