Microsemi Corporation - APTGT50H60T3G

KEY Part #: K6532650

APTGT50H60T3G Preços (USD) [1633pcs Estoque]

  • 1 pcs$27.83043
  • 10 pcs$26.19128
  • 25 pcs$24.55453
  • 100 pcs$23.40865

Número da peça:
APTGT50H60T3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T3G Atributos do produto

Número da peça : APTGT50H60T3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Full Bridge Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 80A
Potência - Max : 176W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3

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