[1644pcs Estoque]
- Número da peça:
- 2SK4209
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor 2SK4209 electronic components. 2SK4209 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK4209, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK4209 Atributos do produto
Número da peça :
2SK4209
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.08 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PB
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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