SIZF916DT-T1-GE3 Preços (USD) [120687pcs Estoque]
- 1 pcs$0.30647
- Número da peça:
- SIZF916DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH DUAL 30V.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 electronic components. SIZF916DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF916DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZF916DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIZF916DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH DUAL 30V
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Potência - Max :
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PowerPair® (6x5)
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