IRL2910STRRPBF Preços (USD) [53979pcs Estoque]
- 1 pcs$0.72436
- 800 pcs$0.69538
- Número da peça:
- IRL2910STRRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRL2910STRRPBF electronic components. IRL2910STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL2910STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL2910STRRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRL2910STRRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 5V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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