APT45GP120B2DQ2G Preços (USD) [4228pcs Estoque]
- 1 pcs$10.24356
- 10 pcs$9.47356
- 25 pcs$8.70522
- 100 pcs$7.69608
- 250 pcs$7.06285
- Número da peça:
- APT45GP120B2DQ2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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APT45GP120B2DQ2G Atributos do produto
Número da peça :
APT45GP120B2DQ2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Series :
POWER MOS 7®
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
113A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
170A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 45A
Potência - Max :
625W
Energia de comutação :
900µJ (on), 905µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
185nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
18ns/100ns
Condição de teste :
600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
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