HGT1S10N120BNS Preços (USD) [28534pcs Estoque]
- 1 pcs$1.45155
- 800 pcs$1.44433
- Número da peça:
- HGT1S10N120BNS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor HGT1S10N120BNS electronic components. HGT1S10N120BNS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S10N120BNS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGT1S10N120BNS Atributos do produto
Número da peça :
HGT1S10N120BNS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
35A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max :
298W
Energia de comutação :
320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
23ns/165ns
Condição de teste :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
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