Infineon Technologies - IGA03N120H2XKSA1

KEY Part #: K6424897

IGA03N120H2XKSA1 Preços (USD) [64810pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.60331
  • 500 pcs$0.54116

Número da peça:
IGA03N120H2XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 3A 29W TO220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGA03N120H2XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IGA03N120H2XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 1200V 3A 29W TO220-3
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 3A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 9A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 3A
Potência - Max : 29W
Energia de comutação : 290µJ
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 8.6nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 9.2ns/281ns
Condição de teste : 800V, 3A, 82 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3