[12792pcs Estoque]
- Número da peça:
- STB9NK60ZDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STB9NK60ZDT4 electronic components. STB9NK60ZDT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB9NK60ZDT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB9NK60ZDT4 Atributos do produto
Número da peça :
STB9NK60ZDT4
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Series :
SuperFREDmesh™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1110pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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