1N6479HE3/96 Preços (USD) [665064pcs Estoque]
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- 6,000 pcs$0.05085
- Número da peça:
- 1N6479HE3/96
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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1N6479HE3/96 Atributos do produto
Número da peça :
1N6479HE3/96
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Series :
SUPERECTIFIER®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-213AB, MELF (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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