Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34JHE3/83

KEY Part #: K6457664

GL34JHE3/83 Preços (USD) [610930pcs Estoque]

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Número da peça:
GL34JHE3/83
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34JHE3/83 Atributos do produto

Número da peça : GL34JHE3/83
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Series : SUPERECTIFIER®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 500mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 500mA
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 1.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-213AA (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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