[3792pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF7907PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7907PBF electronic components. IRF7907PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7907PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7907PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7907PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.1A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 15V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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