STMicroelectronics - STS8DN3LLH5

KEY Part #: K6522265

STS8DN3LLH5 Preços (USD) [128710pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.28737
  • 2,500 pcs$0.25581

Número da peça:
STS8DN3LLH5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STS8DN3LLH5 Atributos do produto

Número da peça : STS8DN3LLH5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Series : STripFET™ V
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 724pF @ 25V
Potência - Max : 2.7W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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