Rohm Semiconductor - RUM002N02T2L

KEY Part #: K6418256

RUM002N02T2L Preços (USD) [1670025pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02448
  • 8,000 pcs$0.02436

Número da peça:
RUM002N02T2L
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RUM002N02T2L Atributos do produto

Número da peça : RUM002N02T2L
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VMT3
Pacote / caso : SOT-723

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