Vishay Siliconix - SI4554DY-T1-GE3

KEY Part #: K6522922

SI4554DY-T1-GE3 Preços (USD) [275873pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13407
  • 2,500 pcs$0.12616

Número da peça:
SI4554DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4554DY-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI4554DY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 690pF @ 20V
Potência - Max : 3.1W, 3.2W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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