[2541pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRL6283MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRL6283MTRPBF electronic components. IRL6283MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL6283MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL6283MTRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRL6283MTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
Series :
HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
38A (Ta), 211A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.75 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
158nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8292pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ MD
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric MD
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