Nexperia USA Inc. - PMV130ENEA/DG/B2R

KEY Part #: K6401219

[3126pcs Estoque]


    Número da peça:
    PMV130ENEA/DG/B2R
    Fabricante:
    Nexperia USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMV130ENEA/DG/B2R Atributos do produto

    Número da peça : PMV130ENEA/DG/B2R
    Fabricante : Nexperia USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
    Series : Automotive, AEC-Q101
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 20V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 5W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
    Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3