EPC - EPC2045ENGRT

KEY Part #: K6415960

EPC2045ENGRT Preços (USD) [12230pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$1.23146

Número da peça:
EPC2045ENGRT
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET TRANS 100V BUMPED DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2045ENGRT Atributos do produto

Número da peça : EPC2045ENGRT
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 685pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die
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