STMicroelectronics - STI8N65M5

KEY Part #: K6415412

[12419pcs Estoque]


    Número da peça:
    STI8N65M5
    Fabricante:
    STMicroelectronics
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in STMicroelectronics STI8N65M5 electronic components. STI8N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI8N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STI8N65M5 Atributos do produto

    Número da peça : STI8N65M5
    Fabricante : STMicroelectronics
    Descrição : MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
    Series : MDmesh™ V
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±25V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 690pF @ 100V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 70W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK
    Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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